TECAPEEK CMP natural

半導体製造CMP向けPEEK

半導体製造のCMP(化学機械研磨処理)装置向けの耐摩耗性に優れたPEEK素材です。優れたクリープ強度に加えて、高い寸法公差と寸法精度などPEEKの卓越した特徴を引き継いでいます。TECAPEEK CMPは標準的なTECAPEEKより純度が高い素材です。優れた耐薬品性と、CMP向けに最適化された耐摩耗特性と摩擦特性をあわせ持っています。

基本情報

プラスチックの種類
PEEK (ポリエーテルエーテルケトン)
ナチュラル
比重
1,31 g/cm3

主な特徴

  • 良好な荷重撓み温度(DTUL、HDT)
  • 良好な切削加工性
  • 難燃性
  • 耐加水分解性・加熱蒸気耐性
  • 非常に強靱
  • 耐高エネルギー線(ガンマ、X線)性
  • 良好な滑り性と摩耗特性
  • 高い耐クリープ性

使用分野

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物性表


  • 機械特性
    機械特性単位測定条件規格
    圧縮強度34MPa1% / 2%EN ISO 604
    曲げ弾性率3900MPa2mm/min, 10 NDIN EN ISO 178
    曲げ強度160MPa2mm/min, 10 NDIN EN ISO 178
    引張破断伸度50%50mm/minDIN EN ISO 527-2
    引張降伏強度110MPa50mm/minDIN EN ISO 527-2
    引張降伏伸度4%50mm/minDIN EN ISO 527-2
    引張弾性率4100MPa1mm/minDIN EN ISO 527-2
    引張強度110MPa50mm/minDIN EN ISO 527-2
    ボール圧入硬度240MPaISO 2039-1
    シャルピー衝撃強度n.b.kJ/m2最大:7.5 JDIN EN ISO 179-1eU
    圧縮弾性率3200MPa5mm/min, 10 NEN ISO 604
    ノッチ付き衝撃強度(アイゾット)4kJ/m2DIN EN ISO 179-1eA
  • 熱特性
    熱特性単位測定条件規格
    線膨張係数(CLTE)610-5*1/K23-100℃ 流れ方向DIN EN ISO 11359-1;2
    線膨張係数(CLTE)510-5*1/K23-60℃ 流れ方向DIN EN ISO 11359-1;2
    使用温度260C長期NN
    熱変形温度162CHDT高荷重(1.80MPa)ISO-R 75 Method A
    使用温度300C短期NN
    融点340CDIN EN ISO 11357
    ガラス転移点151CDIN EN ISO 11357
    熱伝導率0.27W/(k*m)ISO 22007-4:2008
    比熱1.1J/(g*K)ISO 22007-4:2008
    線膨張係数(CLTE)710-5*1/K100-150℃ 流れ方向DIN EN ISO 11359-1;2
  • 電気特性
    電気特性単位測定条件規格
    表面電気抵抗1015O銀電極、23℃、湿度12%DIN IEC 60093
    体積固有抵抗値1015O*cm銀電極、23℃、湿度12%DIN IEC 60093
    絶縁破壊強度73kV/mm23℃、湿度50%ISO 60243-1
    耐トラッキング性(CTI)125V白金電極、23℃、湿度50%、溶液ADIN EN 60112
  • その他の諸特性
    その他の諸特性単位測定条件規格
    熱水耐性・耐アルカリ性+--
    耐候性---
    吸水率0.03%24時間/96時間 (23℃)DIN EN ISO 62

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