TECAPEEK CMP natural

半導体製造CMP向けPEEK

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半導体製造のCMP（化学機械研磨処理）装置向けの耐摩耗性に優れたPEEK素材です。優れたクリープ強度に加えて、高い寸法公差と寸法精度などPEEKの卓越した特徴を引き継いでいます。TECAPEEK CMPは標準的なTECAPEEKより純度が高い素材です。優れた耐薬品性と、CMP向けに最適化された耐摩耗特性と摩擦特性をあわせ持っています。

適合規格

基本情報

プラスチックの種類
PEEK (ポリエーテルエーテルケトン)
色
ベージュ色
比重
1.31 g/cm3

主な特徴

  • 良好な荷重撓み温度(DTUL、HDT)
  • 良好な切削加工性
  • 難燃性
  • 耐加水分解性・加熱蒸気耐性
  • 非常に強靱
  • 耐高エネルギー線(ガンマ、X線)性
  • 良好な滑り性と摩耗特性
  • 高い耐クリープ性

使用分野

半導体産業

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物性表 (PDF)

物性表

  • product-technical-detail-collapse-item-0-lvl-1
    機械特性 値 単位 測定条件 規格
    引張弾性率 4100 MPa 1mm/min DIN EN ISO 527-2
    引張強度 110 MPa 50mm/min DIN EN ISO 527-2
    引張降伏強度 110 MPa 50mm/min DIN EN ISO 527-2
    引張降伏伸度 4 % 50mm/min DIN EN ISO 527-2
    引張破断伸度 50 % 50mm/min DIN EN ISO 527-2
    曲げ強度 160 MPa 2mm/min, 10 N DIN EN ISO 178
    曲げ弾性率 3900 MPa 2mm/min, 10 N DIN EN ISO 178
    圧縮弾性率 3200 MPa 5mm/min, 10 N EN ISO 604
    シャルピー衝撃強度 n.b. kJ/m2 最大：7.5 J DIN EN ISO 179-1eU
    ボール圧入硬度 240 MPa ISO 2039-1
    圧縮強度 34 MPa 1% / 2% EN ISO 604
  • product-technical-detail-collapse-item-1-lvl-1
    熱特性 値 単位 測定条件 規格
    ガラス転移点 151 C DIN EN ISO 11357
    融点 340 C DIN EN ISO 11357
    熱変形温度 162 C HDT高荷重(1.80MPa) ISO-R 75 Method A
    熱伝導率 0.27 W/(k*m) ISO 22007-4:2008
    比熱 1.1 J/(g*K) ISO 22007-4:2008
    使用温度 300 C 短期 NN
    使用温度 260 C 長期 NN
    線膨張係数(CLTE) 5 10-5*1/K 23-60℃　流れ方向 DIN EN ISO 11359-1;2
    線膨張係数(CLTE) 6 10-5*1/K 23-100℃　流れ方向 DIN EN ISO 11359-1;2
    線膨張係数(CLTE) 7 10-5*1/K 100-150℃　流れ方向 DIN EN ISO 11359-1;2
  • product-technical-detail-collapse-item-2-lvl-1
    電気特性 値 単位 測定条件 規格
    表面抵抗率 1015 O 銀電極、23℃、湿度12％ DIN IEC 60093
    体積抵抗率 1015 O*cm 銀電極、23℃、湿度12％ DIN IEC 60093
    絶縁破壊強度 73 kV/mm 23℃、湿度50％ ISO 60243-1
    耐トラッキング性(CTI) 125 V 白金電極、23℃、湿度50％、溶液A DIN EN 60112
  • product-technical-detail-collapse-item-3-lvl-1
    その他の諸特性 値 単位 測定条件 規格
    熱水耐性・耐アルカリ性 + - -
    耐候性 - - -
    吸水率 0.03 % 24時間/96時間 (23℃) DIN EN ISO 62
  • product-technical-detail-collapse-item-4-lvl-1
    コスト 値 単位 測定条件 規格
    Relative costs EU from € to €€€€€€ €€€€€

サイズ一覧