TECAWAFER PEEK LDS black

Materiais de substrato avançados, impulsionados pelo PEEK

O TECAWAFER PEEK LDS black é um substrato inovador de 4 polegadas feito com o avançado material TECACOMP PEEK LDS, que serve como uma excelente alternativa aos materiais convencionais, como silício, cerâmica e vidro. Esse substrato versátil é ideal para aplicações em tecnologia de sensores, eletrônica e tecnologia de microssistemas. Com sua baixa condutividade térmica, o TECAWAFER PEEK LDS black é ideal para uso em sensores de temperatura e elementos de aquecimento. Além disso, o wafer oferece alta elasticidade, o que o torna particularmente adequado para sensores de pressão.

A excelente resistência do TECAWAFER PEEK LDS black a ambientes agressivos e sua resistência a alta tensão fazem dele a escolha ideal para inúmeras aplicações industriais. O TECAWAFER permite opções flexíveis de processamento, como corte a laser, fresagem e perfuração, facilitando significativamente a adaptação a requisitos específicos.

Uma vantagem significativa do TECAWAFER PEEK LDS black é a otimização do processo de processamento, pois reduz a necessidade de camadas adicionais de isolamento. Além disso, o material é reciclável e ecologicamente correto, contribuindo para reduzir a pegada de CO2. O substrato é compatível com litografia convencional e revestimentos PVD, simplificando a fabricação de vários microssistemas. Além disso, a curta cadeia de suprimentos garante alta disponibilidade do TECAWAFER PEEK LDS black.

A excelente rugosidade da superfície do wafer varia de 20 a 50 nm, com ferramentas especiais capazes de obter rugosidade abaixo de 10 nm. A planicidade é de 50 a 100 µm em um diâmetro de 100 mm, e o wafer está disponível em espessuras de 0,9 mm a 1,5 mm. Com uma resistência à temperatura de até 250 °C e uma alta rigidez dielétrica de 17,5 kV/mm, o TECAWAFER PEEK LDS black é particularmente adequado para aplicações em sensoriamento de temperatura e fluxo, bem como em tecnologia de alta frequência (aproximadamente 25 a 77 GHz).

O TECAWAFER PEEK LDS black oferece uma solução poderosa e versátil para os desafios da tecnologia de microssistemas e revoluciona as soluções de substrato para microssistemas com suas propriedades inovadoras. Com sua facilidade de funcionalização, integração e personalização, o TECAWAFER fornece a base para possibilidades totalmente novas na tecnologia de microssistemas. Saiba mais sobre isso e sobre a EMST - a Ensinger Microsystems Technology.

Fatos

Designação química
PEEK (Poli-éter-éter-cetona)
Cor
preto
Densidade
1,67 g/cm3

Principais características

  • compatível com litografia
  • adequado para PVD / CVD
  • possível soldagem por fio
  • galvanização possível
  • desenvolvido para processos LPKF-LDS
  • soldagem por refluxo possível
  • inerentemente retardante de chama
  • baixa absorção de água

Indústrias alvo

Detalhes técnicos

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  • product-technical-detail-collapse-item-0-lvl-1
    Informações gerais sobre o material Valor Unidade Parâmetro Norma
    Diâmetro 100 +-0,3 mm -
    Bow <100 micro -
    Warpage <100 micro -
    Surface Roughness Ra 0,03 - 0,05 micro -
    Espessura 1000 +-25 micro -
  • product-technical-detail-collapse-item-1-lvl-1
    Propriedades mecânicas Valor Unidade Parâmetro Norma
    Resistência a tração 102 MPa DIN EN ISO 527-1
    Alongamento na ruptura 2,3 % DIN EN ISO 527-1
    Resistência ao impacto (Charpy) 31 kJ/m2 DIN EN ISO 179-1eU
  • product-technical-detail-collapse-item-2-lvl-1
    Propriedades térmicas Valor Unidade Parâmetro Norma
    Temperatura de transição vítrea 143 C -
    Temperatura de fusão 343 C -
    Temperatura de serviço 300 C short term -
    Temperatura de serviço 260 C long term -
    Coeficiente Expansão Térmica Linear (CLTE) 26 106*K-1 in plane DIN EN ISO 11359-1;2
    Coeficiente Expansão Térmica Linear (CLTE) 18 106*K-1 perpendicular to the plane DIN EN ISO 11359-1;2
    Coeficiente Expansão Térmica Linear (CLTE) 67 106*K-1 in plane DIN EN ISO 11359-1;2
    Coeficiente Expansão Térmica Linear (CLTE) 46 106*K-1 perpendicular to the plane DIN EN ISO 11359-1;2
    Calor específico 0,97 J/(g*K) DIN EN 821
    Condutividade térmica 1,7 W/(k*m) in plane ISO 22007-4:2008
    Condutividade térmica 0,5 W/(k*m) perpendicular to the plane ISO 22007-4:2008
  • product-technical-detail-collapse-item-3-lvl-1
    Propriedades elétricas Valor Unidade Parâmetro Norma
    Resistência superficial 5,8 * 1012 DIN EN 61340-2-3
    Resistência diéletrica 17,5 kV/mm 70 mm x 70 mm x 3 mm ISO 60243-1
    Fator de perda dielétrica 0,004 test frequency of 1 GHz -
    Constante dielétrica 3,6 test frequency of 1 GHz -
    Resistência à detecção (CTI) 225 V DIN EN 60112
  • product-technical-detail-collapse-item-4-lvl-1
    Outras propriedades Valor Unidade Parâmetro Norma
    Absorção de água 0,1 % 23 °C / 50 % relative humidity up to saturation DIN EN ISO 62
    Flamabilidade (UL 94) V0 - at 0,8 mm DIN IEC 60695-11-10;
    Força de adesão (deslocamento em metal) 19,4 N/mm2 -