TECAWAFER PEEK LDS black

Materiales de sustrato avanzados, impulsados por PEEK

TECAWAFER PEEK LDS black es un innovador sustrato de 4 pulgadas fabricado con el avanzado material TECACOMP PEEK LDS, que constituye una excelente alternativa a materiales convencionales como el silicio, la cerámica y el vidrio. Este versátil sustrato es idóneo para aplicaciones en tecnología de sensores, electrónica y microsistemas. Gracias a su baja conductividad térmica, el PEEK LDS negro TECAWAFER es idóneo para su uso en sensores de temperatura y elementos calefactores. Además, la oblea ofrece una gran elasticidad, lo que la hace especialmente adecuada para sensores de presión.

La excelente resistencia del TECAWAFER PEEK LDS negro a los entornos agresivos y su alta resistencia a la tensión lo convierten en una opción ideal para numerosas aplicaciones industriales. TECAWAFER permite opciones de procesamiento flexibles como el corte por láser, el fresado y el taladrado, lo que facilita considerablemente la adaptación a requisitos específicos.

Una ventaja significativa del negro PEEK LDS TECAWAFER es la optimización del proceso de transformación, ya que reduce la necesidad de capas aislantes adicionales. Además, el material es reciclable y respetuoso con el medio ambiente, lo que contribuye a reducir la huella deCO2. El sustrato es compatible con la litografía convencional y los revestimientos de PVD, lo que simplifica la fabricación de diversos microsistemas. Además, la corta cadena de suministro garantiza una alta disponibilidad del negro TECAWAFER PEEK LDS.

La extraordinaria rugosidad de la superficie de la oblea oscila entre 20 y 50 nm, con herramientas especiales capaces de lograr una rugosidad inferior a 10 nm. La planitud es de 50 a 100 µm en un diámetro de 100 mm, y la oblea está disponible en grosores de 0,9 mm a 1,5 mm. Con una resistencia a la temperatura de hasta 250 °C y una elevada rigidez dieléctrica de 17,5 kV/mm, la TECAWAFER PEEK LDS black es especialmente adecuada para aplicaciones en la detección de temperatura y flujo, así como en la tecnología de alta frecuencia (aproximadamente de 25 a 77 GHz).

TECAWAFER PEEK LDS black ofrece una solución potente y versátil para los retos de la tecnología de microsistemas y revoluciona las soluciones de sustrato para microsistemas con sus propiedades innovadoras. Con su facilidad de funcionalización, integración y personalización, TECAWAFER proporciona la base para posibilidades totalmente nuevas en la tecnología de microsistemas. Obtenga más información sobre esto y sobre EMST, la tecnología de microsistemas de Ensinger.

Fatos

Designação química
PEEK (Polieteretercetona)
Cor
negro
Densidade
1.67 g/cm3

Principais características

  • lithography capable
  • PVD / CVD capable
  • wirebonding possibile
  • electroplating possible
  • desarrollado para proceso LPKF-LDS®
  • reflow soldering possible
  • retardante a la llama inherente
  • baja absorción de la humedad

Indústrias alvo

Detalhes técnicos

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  • product-technical-detail-collapse-item-0-lvl-1
    Información general sobre materiales Valor Unidade Parâmetro Norma
    Diameter 100 +-0,3 mm -
    Bow <100 micro -
    Warpage <100 micro -
    Surface Roughness Ra 0,03 - 0,05 micro -
    thickness 1000 +-25 micro -
  • product-technical-detail-collapse-item-1-lvl-1
    Propiedades mecánicas Valor Unidade Parâmetro Norma
    Resistencia a tracción 102 MPa DIN EN ISO 527-1
    Elongación a rotura 2,3 % DIN EN ISO 527-1
    Resistencia al impacto (Charpy) 31 kJ/m2 DIN EN ISO 179-1eU
  • product-technical-detail-collapse-item-2-lvl-1
    Propiedades térmicas Valor Unidade Parâmetro Norma
    Temperatura de transición vítrea 143 C -
    Temperatura de fusión 343 C -
    Temperatura de servicio 300 C short term -
    Temperatura de servicio 260 C long term -
    Expansión térmica (CLTE) 26 106*K-1 in plane DIN EN ISO 11359-1;2
    Expansión térmica (CLTE) 18 106*K-1 perpendicular to the plane DIN EN ISO 11359-1;2
    Expansión térmica (CLTE) 67 106*K-1 in plane DIN EN ISO 11359-1;2
    Expansión térmica (CLTE) 46 106*K-1 perpendicular to the plane DIN EN ISO 11359-1;2
    Calor específico 0,97 J/(g*K) DIN EN 821
    Conductividad térmica 1,7 W/(k*m) in plane ISO 22007-4:2008
    Conductividad térmica 0,5 W/(k*m) perpendicular to the plane ISO 22007-4:2008
  • product-technical-detail-collapse-item-3-lvl-1
    Propiedades eléctricas Valor Unidade Parâmetro Norma
    Resistencia superficial específica 5,8 * 1012 DIN EN 61340-2-3
    Rigidez dieléctrica 17,5 kV/mm 70 mm x 70 mm x 3 mm ISO 60243-1
    Factor de pérdida dieléctrica 0,004 test frequency of 1 GHz -
    Constante dieléctrica 3,6 test frequency of 1 GHz -
    Resistencia al tracking (CTI) 225 V DIN EN 60112
  • product-technical-detail-collapse-item-4-lvl-1
    Otras propiedades Valor Unidade Parâmetro Norma
    Absorción de agua 0,1 % 23 °C / 50 % relative humidity up to saturation DIN EN ISO 62
    Resistencia a la llama (UL94) V0 - at 0,8 mm DIN IEC 60695-11-10;
    Fuerza adhesiva (trayectoria del metal) 19,4 N/mm2 -